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CSD86330Q3D

CSD86330Q3D Texas Instruments

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Hersteller: Texas Instruments
Synchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.56 EUR
5000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details CSD86330Q3D Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 20 A, 20 A, 4.6 ohm, tariffCode: 85423990, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote CSD86330Q3D nach Preis ab 1.5 EUR bis 5.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 6W
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.7 EUR
5000+1.59 EUR
7500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.4 EUR
77+2.18 EUR
100+1.92 EUR
250+1.87 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.4 EUR
77+2.11 EUR
100+1.82 EUR
250+1.73 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 11627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.19 EUR
100+2.32 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD86330Q3D CSD86330Q3D Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd86330q3d Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.59 EUR
10+3.63 EUR
100+2.5 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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CSD86330Q3D
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 6W
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.7 EUR
5000+1.59 EUR
7500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: Texas Instruments
Synchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+2.4 EUR
77+2.18 EUR
100+1.92 EUR
250+1.87 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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Hersteller: Texas Instruments
Synchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+2.4 EUR
77+2.11 EUR
100+1.82 EUR
250+1.73 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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CSD86330Q3D
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 20 A, 20 A, 4.6 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET
auf Bestellung 11627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.82 EUR
10+3.19 EUR
100+2.32 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.82 EUR
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.59 EUR
10+3.63 EUR
100+2.5 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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CSD86330Q3D
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 20 A, 20 A, 4.6 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: TI
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH