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CSD86350Q5D

CSD86350Q5D Texas Instruments

slps223 Hersteller: Texas Instruments
Synchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
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Technische Details CSD86350Q5D Texas Instruments

Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 13W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-LSON (5x6), Part Status: Active.

Weitere Produktangebote CSD86350Q5D nach Preis ab 1.40 EUR bis 4.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CSD86350Q5D CSD86350Q5D Hersteller : Texas Instruments slps223 Synchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 513 Stücke:
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69+2.15 EUR
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CSD86350Q5D CSD86350Q5D Hersteller : Texas Instruments slps223 Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
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CSD86350Q5D CSD86350Q5D Hersteller : Texas Instruments slps223 MOSFETs Synch Buck NexFET Pw r Block MOSFET
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CSD86350Q5D slps223
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CSD86350Q5D CSD86350Q5D Hersteller : Texas Instruments slps223 Description: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
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