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Technische Details CSD87313DMS Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3).
Weitere Produktangebote CSD87313DMS nach Preis ab 1.08 EUR bis 3.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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CSD87313DMS | Texas Instruments |
 MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87313DMST |
auf Bestellung 1922 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CSD87313DMS |
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Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87313DMST
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87313DMST
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.75 EUR |
| 10+ | 3.19 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.26 EUR |
| 1000+ | 1.96 EUR |
| 2500+ | 1.14 EUR |
| 5000+ | 1.08 EUR |