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CSD87330Q3D

CSD87330Q3D Texas Instruments

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Hersteller: Texas Instruments
Power Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
auf Bestellung 1595 Stücke:
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151+1.15 EUR
158+0.99 EUR
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Technische Details CSD87330Q3D Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.3 EUR
5000+1.27 EUR
7500+1.25 EUR
12500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 24132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
11+1.92 EUR
25+1.74 EUR
100+1.55 EUR
250+1.45 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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auf Bestellung 50092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+1.8 EUR
100+1.49 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+3.22 EUR
117+1.99 EUR
139+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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CSD87330Q3D TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87330q3d Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 20A, LSON-8
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
117+1.99 EUR
139+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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CSD87330Q3D
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
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auf Bestellung 22500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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CSD87330Q3D
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 24132 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8+2.64 EUR
11+1.92 EUR
25+1.74 EUR
100+1.55 EUR
250+1.45 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Texas Instruments
MOSFETs 30V Sync Buck NexFET Power Block
auf Bestellung 50092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.7 EUR
10+1.8 EUR
100+1.49 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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CSD87330Q3D
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
78+3.22 EUR
117+1.99 EUR
139+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD87330Q3D suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87330q3d
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 20A, LSON-8
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.22 EUR
117+1.99 EUR
139+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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