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CSD87333Q3D

CSD87333Q3D Texas Instruments

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87333q3d
Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details CSD87333Q3D Texas Instruments

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87333Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.0119 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0119ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: SON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.69 EUR
15+1.22 EUR
25+1.1 EUR
100+0.97 EUR
250+0.91 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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auf Bestellung 4031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.11 EUR
100+0.92 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.75 EUR
10000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
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Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87333Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412100
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87333Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412100
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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