CSD88584Q5DCT Texas Instruments
Hersteller: Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerTFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.47 EUR |
| 10+ | 6.04 EUR |
| 100+ | 4.79 EUR |
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Technische Details CSD88584Q5DCT Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88584Q5DCT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 680 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 680µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 12W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: NexFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 680µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 12W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote CSD88584Q5DCT nach Preis ab 3.68 EUR bis 8.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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CSD88584Q5DCT | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFETs 40-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88584Q5DC |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD88584Q5DCT | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88584Q5DCT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 680 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 680µohm Verlustleistung, p-Kanal: 12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: NexFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 680µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD88584Q5DCT | Hersteller : Texas Instruments |
Power Block 22-Pin VSON-CLIP EP T/R |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD88584Q5DCT | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerTFDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 12W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active |
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