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Technische Details CVFD20065A Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 650V 57A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 57A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| CVFD20065A | Wolfspeed | Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 57A (DC) Through Hole TO-220-2 Діоди та діодні збірки |
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CVFD20065A | Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 57A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 57A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V |
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CVFD20065A | Wolfspeed |
 SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 650V, 20A |
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| CVFD20065A |
Hersteller: Wolfspeed
Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 57A (DC) Through Hole TO-220-2 Діоди та діодні збірки
Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 57A (DC) Through Hole TO-220-2 Діоди та діодні збірки
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| CVFD20065A |
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 57A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 57A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 57A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 57A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
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| CVFD20065A |
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Hersteller: Wolfspeed
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 650V, 20A
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 650V, 20A
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