CVFD20065A Wolfspeed
Hersteller: Wolfspeed
Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 57A (DC) Through Hole TO-220-2 Діоди та діодні збірки
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Technische Details CVFD20065A Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 650V 57A TO220-2, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Obsolete, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220-2, Current - Average Rectified (Io): 57A, Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote CVFD20065A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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CVFD20065A | Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 57A TO220-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2 Current - Average Rectified (Io): 57A Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CVFD20065A | Wolfspeed |
 SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 650V, 20A |
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| CVFD20065A |
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 57A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 57A
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 57A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 57A
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
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| CVFD20065A |
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SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 650V, 20A
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