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CY14B101LA-SP25XI

CY14B101LA-SP25XI Infineon Technologies

2879_cy14b101la_cy14b101na_1-mbit_128_k_8_64_k_16_nvsram.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3V 48-Pin SSOP Tube
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Technische Details CY14B101LA-SP25XI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY14B101LA-SP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, SSOP-48, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: SSOP, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SSOP, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Speicherorganisation: 128K x 8 Bit, euEccn: NLR, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote CY14B101LA-SP25XI nach Preis ab 38.78 EUR bis 96.97 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CY14B101LA-SP25XI CY14B101LA-SP25XI Infineon Technologies 2879_cy14b101la_cy14b101na_1-mbit_128_k_8_64_k_16_nvsram.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3V 48-Pin SSOP Tube
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CY14B101LA-SP25XI CY14B101LA-SP25XI Infineon Technologies Infineon_CY14B101LA_CY14B101NA_1_Mbit__128_K_8_64_-3476215.pdf NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM
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CY14B101LA-SP25XI CY14B101LA-SP25XI INFINEON CYPR-S-A0011719061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY14B101LA-SP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, SSOP-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 128K x 8 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 320 Stücke:
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CY14B101LA-SP25XI CY14B101LA-SP25XI Infineon Technologies Infineon-CY14B101LA_CY14B101NA_1-Mbit_(128_K_8_64_K_16)_nvSRAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd6cf32ff4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-SSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 144 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
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CY14B101LA-SP25XI
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B101LA-SP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, SSOP-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SSOP
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 128K x 8 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
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NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3V 48-Pin SSOP Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
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3+86.49 EUR
5+64.93 EUR
50+52.4 EUR
100+49.97 EUR
300+47.36 EUR
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CY14B101LA-SP25XI Infineon-CY14B101LA_CY14B101NA_1-Mbit_(128_K_8_64_K_16)_nvSRAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd6cf32ff4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY14B101LA-SP25XI
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-SSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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