CY14B101LA-ZS20XIT Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details CY14B101LA-ZS20XIT Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II, Memory Organization: 128K x 8, Access Time: 20 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 20ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 1Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote CY14B101LA-ZS20XIT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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CY14B101LA-ZS20XIT | Infineon Technologies |
NVRAM 1Mb 3V 20ns 128K x 8 nvSRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CY14B101LA-ZS20XIT |
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Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM 1Mb 3V 20ns 128K x 8 nvSRAM
NVRAM 1Mb 3V 20ns 128K x 8 nvSRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


