CY14B101LA-ZS25XI Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 39.65 EUR |
| 10+ | 36.92 EUR |
| 25+ | 36.54 EUR |
| 50+ | 35.62 EUR |
| 100+ | 31.75 EUR |
| 270+ | 30.94 EUR |
| 540+ | 30.82 EUR |
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Technische Details CY14B101LA-ZS25XI Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 128K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote CY14B101LA-ZS25XI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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CY14B101LA-ZS25XI | Hersteller : Infineon Technologies |
 NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CY14B101LA-ZS25XI | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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