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CY14B101NA-ZS25XI Infineon Technologies

Name: CY14B101NA-ZS25XI
Brand: Infineon Technologies
SKU: 20559837-5
Price: 15249.60 EUR
Availability: InStock

2879_cy14b101la_cy14b101na_1-mbit_128_k_8_64_k_16_nvsram.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray

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Technische Details CY14B101NA-ZS25XI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY14B101NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 64Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote CY14B101NA-ZS25XI nach Preis ab 31.82 EUR bis 71.6 EUR

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CY14B101NA-ZS25XI

Infineon Technologies

NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray

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Infineon Technologies

Infineon_CY14B101LA_CY14B101NA_1_Mbit__128_K_8_64_-3476215.pdf

NVRAM 1Mb 3V 25ns 64K x 16 nvSRAM

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INFINEON

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Description: INFINEON - CY14B101NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 64Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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Infineon Technologies

Infineon-CY14B101LA_CY14B101NA_1-Mbit_(128_K_8_64_K_16)_nvSRAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd6cf32ff4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files

Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B101NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 64Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
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euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Schnittstellen: Parallel
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Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified

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