CY14B101NA-ZS45XI Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details CY14B101NA-ZS45XI Infineon Technologies
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B101NA-ZS45XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 1MB, 64Kx16Bit, 45ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-44, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: 2.7, Speicherorganisation: 64K x 16 Bit, Speichergröße: 1, Anzahl der Pins: 44, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 3.6, Zugriffszeit für Schreiben: 45, Zugriffszeit für Lesen: 45, Betriebstemperatur, max.: 85, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote CY14B101NA-ZS45XI nach Preis ab 47.48 EUR bis 61.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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CY14B101NA-ZS45XI | Infineon Technologies |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64K x 16 Access Time: 45 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 1Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Bulk |
auf Bestellung 668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CY14B101NA-ZS45XI | Infineon Technologies |
NVRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 nvSRAM |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B101NA-ZS45XI |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64K x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Bulk
Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64K x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 47.48 EUR |
| CY14B101NA-ZS45XI |
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Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 nvSRAM
NVRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 nvSRAM
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 61.48 EUR |
| 10+ | 58.26 EUR |
| 25+ | 56.82 EUR |
| 50+ | 55.67 EUR |
| 100+ | 54.93 EUR |