CY14B104NA-BA20XI Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details CY14B104NA-BA20XI Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10), Write Cycle Time - Word, Page: 20ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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CY14B104NA-BA20XI | Infineon Technologies |
NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CY14B104NA-BA20XI |
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Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
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