CY14B104NA-BA20XIT Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10)
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details CY14B104NA-BA20XIT Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 20 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 20ns, Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10), Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 48-TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote CY14B104NA-BA20XIT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
CY14B104NA-BA20XIT | Infineon Technologies |
NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CY14B104NA-BA20XIT |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

