CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 73.99 EUR |
| 10+ | 68.39 EUR |
| 25+ | 66.19 EUR |
| 50+ | 64.54 EUR |
| 100+ | 62.91 EUR |
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Technische Details CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 4Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Speicherorganisation: 256K x 16 Bit, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote CY14B104NA-BA25XI nach Preis ab 64.36 EUR bis 79.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies |
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM |
auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CY14B104NA-BA25XI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48 tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Speicherorganisation: 256K x 16 Bit euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 25ns Zugriffszeit für Lesen: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CY14B104NA-BA25XI |
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Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 79.57 EUR |
| 10+ | 74.52 EUR |
| 25+ | 72.11 EUR |
| 50+ | 70.31 EUR |
| 100+ | 68.53 EUR |
| 299+ | 64.36 EUR |
| CY14B104NA-BA25XI |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)