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CY14B104NA-BA25XI

CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies

870013803070501download.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray
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Technische Details CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 4Mbit, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Speicherorganisation: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 48Pin(s), Speichergröße: 4Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit.

Weitere Produktangebote CY14B104NA-BA25XI nach Preis ab 47.53 EUR bis 94.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CY14B104NA-BA25XI CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies 870013803070501download.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray
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CY14B104NA-BA25XI CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies infineon-cy14b104la-cy14b104na-4-mbit-512-k-8-256-k-16-nvsram-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebf621933a8 Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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10+81.38 EUR
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CY14B104NA-BA25XI CY14B104NA-BA25XI INFINEON CYPR-S-A0003066685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Mbit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
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CY14B104NA-BA25XI CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies Infineon_CY14B104LA_CY14B104NA_4_Mbit_512_K_8_256_K_16_nvSRAM_DataSheet_v16_00_EN.pdf NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
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Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray
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CY14B104NA-BA25XI
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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CY14B104NA-BA25XI
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Mbit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
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NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
auf Bestellung 340 Stücke:
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