CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 59.32 EUR |
| 5+ | 52.57 EUR |
| 10+ | 48.39 EUR |
| 50+ | 45.87 EUR |
| 100+ | 40.08 EUR |
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Technische Details CY14B104NA-BA25XI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 4Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Speicherorganisation: 256K x 16 Bit, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Mbit, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote CY14B104NA-BA25XI nach Preis ab 36.30 EUR bis 68.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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CY14B104NA-BA25XI | Hersteller : Infineon Technologies |
 NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray |
auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY14B104NA-BA25XI | Hersteller : Infineon Technologies |
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM |
auf Bestellung 2509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CY14B104NA-BA25XI | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CY14B104NA-BA25XI | Hersteller : Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray |
auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY14B104NA-BA25XI | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48 tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Speicherorganisation: 256K x 16 Bit euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 25ns Zugriffszeit für Lesen: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY14B104NA-BA25XI | Hersteller : Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| CY14B104NA-BA25XI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
CY14B104NA-BA25XI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
Produkt ist nicht verfügbar |