CY14B104NA-BA25XIT Infineon Technologies
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Technische Details CY14B104NA-BA25XIT Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10), Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote CY14B104NA-BA25XIT nach Preis ab 39.28 EUR bis 39.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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CY14B104NA-BA25XIT | Hersteller : Infineon Technologies |
 NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA T/R |
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CY14B104NA-BA25XIT | Hersteller : Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA T/R |
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| CY14B104NA-BA25XIT | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
CY14B104NA-BA25XIT Parallel SRAM memories - integ. circ. |
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CY14B104NA-BA25XIT | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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CY14B104NA-BA25XIT | Hersteller : Infineon Technologies |
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM |
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