CY14B104NA-BA45XET Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 43.05 EUR |
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Technische Details CY14B104NA-BA45XET Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10), Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 45 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote CY14B104NA-BA45XET nach Preis ab 43.05 EUR bis 43.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| CY14B104NA-BA45XET | Hersteller : Infineon Technologies |
 NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive 48-Pin FBGA T/R |
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| CY14B104NA-BA45XET | Hersteller : Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive AEC-Q100 48-Pin FBGA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| CY14B104NA-BA45XET | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
CY14B104NA-BA45XET Parallel SRAM memories - integ. circ. |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CY14B104NA-BA45XET | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| CY14B104NA-BA45XET | Hersteller : Cypress Semiconductor |
NVRAM Non Volatile SRAMs |
Produkt ist nicht verfügbar |