Technische Details CY14B104NA-BA45XI Infineon Technologies
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-BA45XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256K x 16 Bit, 45ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, FBGA-48, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: 2.7, Speicherorganisation: 256K x 16 Bit, Speichergröße: 4, Anzahl der Pins: 48, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 3.6, Zugriffszeit für Schreiben: 45, Zugriffszeit für Lesen: 45, Betriebstemperatur, max.: 85, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote CY14B104NA-BA45XI nach Preis ab 59.24 EUR bis 95.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY14B104NA-BA45XI | Infineon Technologies |
 NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray |
auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
CY14B104NA-BA45XI | Infineon Technologies |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 1131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
CY14B104NA-BA45XI | Infineon Technologies |
NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM |
auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| CY14B104NA-BA45XI |
|
Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 63.25 EUR |
| 100+ | 59.24 EUR |
| CY14B104NA-BA45XI |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 85.45 EUR |
| 10+ | 78.98 EUR |
| 25+ | 76.43 EUR |
| 50+ | 74.53 EUR |
| 100+ | 72.66 EUR |
| CY14B104NA-BA45XI |
|
Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 95.4 EUR |
| 10+ | 88.07 EUR |
| 25+ | 85.24 EUR |
| 50+ | 83.11 EUR |
| 100+ | 81.02 EUR |
| 250+ | 73.45 EUR |