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CY14B104NA-ZS20XI

CY14B104NA-ZS20XI Infineon Technologies

infineon-cy14b104la-cy14b104na-4-mbit-512-k-8-256-k-16-nvsram-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebf621933a8 Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 202 Stücke:
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Technische Details CY14B104NA-ZS20XI Infineon Technologies

Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 20ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Weitere Produktangebote CY14B104NA-ZS20XI nach Preis ab 51.73 EUR bis 70.21 EUR

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CY14B104NA-ZS20XI CY14B104NA-ZS20XI Hersteller : Infineon Technologies Infineon-CY14B104LA_CY14B104NA_4-Mbit_(512_K_8_256_K_16)_nvSRAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
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