CY14B104NA-ZS20XI Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 167 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 67.39 EUR |
| 10+ | 62.5 EUR |
| 25+ | 60.27 EUR |
| 40+ | 58.77 EUR |
| 135+ | 51.49 EUR |
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Technische Details CY14B104NA-ZS20XI Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 20ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote CY14B104NA-ZS20XI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| CY14B104NA-ZS20XI | Hersteller : Cypress Semiconductor |
NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |