CY14B104NA-ZS20XI Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 47.27 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details CY14B104NA-ZS20XI Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 20ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote CY14B104NA-ZS20XI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CY14B104NA-ZS20XI | Hersteller : Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
CY14B104NA-ZS20XI | Hersteller : Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| CY14B104NA-ZS20XI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
CY14B104NA-ZS20XI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
CY14B104NA-ZS20XI | Hersteller : Infineon Technologies |
NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |