Technische Details CY14B104NA-ZS25XI Infineon Technologies
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: 2.7, Speicherorganisation: 256K x 16 Bit, Speichergröße: 4, Anzahl der Pins: 44, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 3.6, Zugriffszeit für Schreiben: 25, Zugriffszeit für Lesen: 25, Betriebstemperatur, max.: 85, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote CY14B104NA-ZS25XI nach Preis ab 47.21 EUR bis 94.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies |
 NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray |
auf Bestellung 456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray |
auf Bestellung 456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies |
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM |
auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 25 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray |
auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CY14B104NA-ZS25XI | CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES |
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II MSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Speicherorganisation: 256K x 16 Bit Speichergröße: 4 Anzahl der Pins: 44 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Zugriffszeit für Schreiben: 25 Zugriffszeit für Lesen: 25 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS25XI |
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Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 68.81 EUR |
| 10+ | 63.2 EUR |
| 25+ | 58.49 EUR |
| 50+ | 57.16 EUR |
| 100+ | 51.13 EUR |
| CY14B104NA-ZS25XI |
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Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 68.81 EUR |
| 10+ | 61.83 EUR |
| 25+ | 56.32 EUR |
| 50+ | 54.12 EUR |
| 100+ | 47.21 EUR |
| CY14B104NA-ZS25XI |
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Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 74.16 EUR |
| 10+ | 68.01 EUR |
| 25+ | 65.81 EUR |
| 50+ | 64.18 EUR |
| 100+ | 61.43 EUR |
| 250+ | 59.75 EUR |
| CY14B104NA-ZS25XI |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 25 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 25 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 81.47 EUR |
| 10+ | 75.3 EUR |
| 25+ | 72.86 EUR |
| 40+ | 71.64 EUR |
| 135+ | 68.5 EUR |
| 270+ | 66.75 EUR |
| CY14B104NA-ZS25XI |
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Hersteller: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 44
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Zugriffszeit für Schreiben: 25
Zugriffszeit für Lesen: 25
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Speicherorganisation: 256K x 16 Bit
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 44
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Zugriffszeit für Schreiben: 25
Zugriffszeit für Lesen: 25
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 94.76 EUR |
| 5+ | 84.81 EUR |
| 10+ | 75.34 EUR |
| 25+ | 70.85 EUR |
| 50+ | 65.57 EUR |