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CY14B104NA-ZS45XI

CY14B104NA-ZS45XI Infineon Technologies

Infineon_CY14B104LA_CY14B104NA_4_Mbit_512_K_8_256_K_16_nvSRAM_DataSheet_v16_00_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
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Technische Details CY14B104NA-ZS45XI Infineon Technologies

Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 45 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tray.

Weitere Produktangebote CY14B104NA-ZS45XI nach Preis ab 50.18 EUR bis 67.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
CY14B104NA-ZS45XI CY14B104NA-ZS45XI Infineon Technologies download Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
auf Bestellung 654 Stücke:
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10+59.58 EUR
25+56.81 EUR
40+55.44 EUR
135+52.03 EUR
270+50.18 EUR
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CY14B104NA-ZS45XI
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
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