CY14B104NA-ZSP25XI Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 178 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 53.82 EUR |
| 10+ | 47.76 EUR |
| 25+ | 45.54 EUR |
| 40+ | 44.44 EUR |
| 108+ | 42.2 EUR |
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Technische Details CY14B104NA-ZSP25XI Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 54-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
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Preis |
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CY14B104NA-ZSP25XI Produktcode: 103163
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8542399000 8542 39 90 00 |
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CY14B104NA-ZSP25XI | Hersteller : Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 54-Pin TSOP-II Tray |
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CY14B104NA-ZSP25XI | Hersteller : Infineon Technologies |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 54-Pin TSOP-II Tray |
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| CY14B104NA-ZSP25XI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 25ns; TSOP54 II; parallel Mounting: SMD Kind of interface: parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TSOP54 II Operating temperature: -40...85°C Access time: 25ns Supply voltage: 2.7...3.6V DC Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Kind of package: in-tray Kind of memory: NV SRAM Anzahl je Verpackung: 216 Stücke |
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CY14B104NA-ZSP25XI | Hersteller : Infineon Technologies |
NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM |
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| CY14B104NA-ZSP25XI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 25ns; TSOP54 II; parallel Mounting: SMD Kind of interface: parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TSOP54 II Operating temperature: -40...85°C Access time: 25ns Supply voltage: 2.7...3.6V DC Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Kind of package: in-tray Kind of memory: NV SRAM |
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