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CY14B104NA-ZSP45XI

CY14B104NA-ZSP45XI Infineon Technologies

Infineon_CY14B104LA_CY14B104NA_4_Mbit__512_K_8_256-3361058.pdf Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
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Technische Details CY14B104NA-ZSP45XI Infineon Technologies

Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 54-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 45 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

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CY14B104NA-ZSP45XI CY14B104NA-ZSP45XI Hersteller : Infineon Technologies download Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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