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CY14B108K-ZS25XI

CY14B108K-ZS25XI Infineon Technologies

1373897795344669docid50894.pdf Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
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Technische Details CY14B108K-ZS25XI Infineon Technologies

Description: IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 1M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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CY14B108K-ZS25XI CY14B108K-ZS25XI Hersteller : Infineon Technologies 1373897795344669docid50894.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray
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CY14B108K-ZS25XI CY14B108K-ZS25XI Hersteller : Infineon Technologies Infineon-CY14B108K_CY14B108M_8-Mbit_(1024_K_8_512_K_16)_nvSRAM_with_Real_Time_Clock-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebf7de133d4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ Description: IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 1M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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CY14B108K-ZS25XI CY14B108K-ZS25XI Hersteller : Cypress Semiconductor CYPR_S_A0005222749_1-2541000.pdf NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
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