
CY14B108M-ZSP25XI Infineon Technologies
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Technische Details CY14B108M-ZSP25XI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY14B108M-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 8MB, 512K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Speicherorganisation: 512K x 16 Bit, euEccn: NLR, Speichergröße: 8Mbit, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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CY14B108M-ZSP25XI | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit usEccn: 3A991.b.2.a IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Speicherorganisation: 512K x 16 Bit euEccn: NLR Speichergröße: 8Mbit Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 25ns Zugriffszeit für Lesen: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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CY14B108M-ZSP25XI | Hersteller : Infineon Technologies |
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CY14B108M-ZSP25XI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
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CY14B108M-ZSP25XI | Hersteller : Cypress Semiconductor Corp |
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CY14B108M-ZSP25XI | Hersteller : Cypress Semiconductor Corp |
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