CY14B108N-BA25XIT Infineon Technologies
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Technische Details CY14B108N-BA25XIT Infineon Technologies
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 25ns; FBGA48; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 25ns, Supply voltage: 2.7...3.6V DC, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 512kx16bit, Case: FBGA48, Kind of package: reel; tape, Kind of memory: NV SRAM, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote CY14B108N-BA25XIT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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CY14B108N-BA25XIT | Hersteller : Cypress Semiconductor Corp |
 Description: IC NVSRAM 8MBIT 25NS 48FBGA |
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| CY14B108N-BA25XIT | Hersteller : Cypress Semiconductor |
NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM |
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| CY14B108N-BA25XIT | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 25ns; FBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Access time: 25ns Supply voltage: 2.7...3.6V DC Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Case: FBGA48 Kind of package: reel; tape Kind of memory: NV SRAM Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
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