CY14B116N-BA25XI Cypress Semiconductor Corp
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Technische Details CY14B116N-BA25XI Cypress Semiconductor Corp
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 25ns; FBGA60; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 25ns, Supply voltage: 2.7...3.6V DC, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx16bit, Case: FBGA60, Kind of package: in-tray, Kind of memory: NV SRAM, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote CY14B116N-BA25XI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| CY14B116N-BA25XI | Hersteller : Cypress Semiconductor Corp |
 Description: IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 60FBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| CY14B116N-BA25XI | Hersteller : Cypress Semiconductor |
NVRAM NON VOLATILE SRAMS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| CY14B116N-BA25XI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 25ns; FBGA60; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Access time: 25ns Supply voltage: 2.7...3.6V DC Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Case: FBGA60 Kind of package: in-tray Kind of memory: NV SRAM Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |