CY14B116N-ZSP25XI Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC NVSRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 183 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 170.40 EUR |
| 10+ | 159.36 EUR |
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Technische Details CY14B116N-ZSP25XI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY14B116N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 16Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Speicherorganisation: 1M x 16 Bit, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Mbit, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 25ns, Zugriffszeit für Lesen: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote CY14B116N-ZSP25XI nach Preis ab 160.67 EUR bis 160.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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CY14B116N-ZSP25XI | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY14B116N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 16MB, 1M x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V-3.6V, TSOP-II-54 tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 16Mbit usEccn: 3A991.b.2.a IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Speicherorganisation: 1M x 16 Bit euEccn: NLR Speichergröße: 16Mbit Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 25ns Zugriffszeit für Lesen: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B116N-ZSP25XI | Hersteller : Infineon Technologies |
NVRAM U |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B116N-ZSP25XI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
CY14B116N-ZSP25XI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| CY14B116N-ZSP25XI | Hersteller : Cypress Semiconductor |
NVRAM Non Volatile SRAMs |
Produkt ist nicht verfügbar |