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CY14V116N-BZ30XI

CY14V116N-BZ30XI Infineon Technologies

001-75791_cy14v116n_16-mbit_1024k_x_16_nvsram.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
NVRAM NVSRAM Parallel 16Mbit 3V/3.3V 165-Pin FBGA Tray
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Technische Details CY14V116N-BZ30XI Infineon Technologies

Description: IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 165-LBGA, Packaging: Tray, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 1M x 16, Access Time: 30 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 30ns, Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17), Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 16Mbit.

Weitere Produktangebote CY14V116N-BZ30XI nach Preis ab 68.98 EUR bis 185.33 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CY14V116N-BZ30XI CY14V116N-BZ30XI Infineon Technologies 001-75791_cy14v116n_16-mbit_1024k_x_16_nvsram.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 16Mbit 3V/3.3V 165-Pin FBGA Tray
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CY14V116N-BZ30XI CY14V116N-BZ30XI Infineon Technologies Infineon-CY14V116N_16-Mbit_(1024K_X_16)_nvSRAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec0aeea354b Description: IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 16
Access Time: 30 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 30ns
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Mbit
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CY14V116N-BZ30XI Infineon Technologies Infineon_CY14V116N_16_Mbit_1024K_X_16_nvSRAM_DataSheet_v11_00_EN.pdf NVRAM NVSRAM
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Package / Case: 165-LBGA
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Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
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