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CY62128ELL-45SXI

CY62128ELL-45SXI Infineon Technologies

infineoncy62128emobl1mbit128k8staticramdatasheetv1700en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC Tube
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Technische Details CY62128ELL-45SXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, SOIC-32, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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CY62128ELL-45SXI CY62128ELL-45SXI INFINEON 2309570.pdf Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, SOIC-32
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
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CY62128ELL-45SXI CY62128ELL-45SXI Infineon Technologies Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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CY62128ELL-45SXI CY62128ELL-45SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel
Case: SO32
Mounting: SMD
Memory: 1Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Kind of memory: SRAM
Access time: 45ns
IC width: 450mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
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CY62128ELL-45SXI  CYPRESS SOP 06+PBF
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, SOIC-32
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY62128ELL-45SXI Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d
CY62128ELL-45SXI
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel
Case: SO32
Mounting: SMD
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Kind of interface: parallel
Memory organisation: 128kx8bit
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Kind of memory: SRAM
Access time: 45ns
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Type of integrated circuit: SRAM memory
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SOP 06+PBF
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