CY62128ELL-45SXIT Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 69+ | 2.15 EUR |
| 72+ | 1.97 EUR |
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| 200+ | 1.67 EUR |
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Technische Details CY62128ELL-45SXIT Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 4.5 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote CY62128ELL-45SXIT nach Preis ab 3.78 EUR bis 5.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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CY62128ELL-45SXIT | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-SOIC Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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CY62128ELL-45SXIT | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-SOIC Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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CY62128ELL-45SXIT | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM |
auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CY62128ELL-45SXIT | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY62128ELL-45SXIT | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 4.5 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 592 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY62128ELL-45SXIT | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY62128ELL-45SXIT | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 45ns 32-Pin SOIC T/R |
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| CY62128ELL-45SXIT | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 45ns Case: SO32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD IC width: 450mils Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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| CY62128ELL-45SXIT | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 128kx8bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 45ns Case: SO32 Kind of interface: parallel Mounting: SMD IC width: 450mils |
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