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CY62128ELL-55SXE Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 55ns Automotive 32-Pin SOIC Tube
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Technische Details CY62128ELL-55SXE Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY62128ELL-55SXE - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 4.5 V, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Speicherdichte: 1Mbit, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit.

Weitere Produktangebote CY62128ELL-55SXE nach Preis ab 5.97 EUR bis 25.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CY62128ELL-55SXE CY62128ELL-55SXE Infineon Technologies infineoncy62128emobl1mbit128k8staticramdatasheetv1700en.pdf SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 55ns 32-Pin SOIC Tube Automotive AEC-Q100
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CY62128ELL-55SXE CY62128ELL-55SXE Infineon Technologies infineoncy62128emobl1mbit128k8staticramdatasheetv1700en.pdf SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 55ns 32-Pin SOIC Tube Automotive AEC-Q100
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CY62128ELL-55SXE CY62128ELL-55SXE Infineon Technologies Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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CY62128ELL-55SXE CY62128ELL-55SXE INFINEON 2309570.pdf Description: INFINEON - CY62128ELL-55SXE - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOIC
Part Status: Active
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Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Description: INFINEON - CY62128ELL-55SXE - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
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SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
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