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CY62148ELL-55SXI

CY62148ELL-55SXI Infineon Technologies

infineoncy62148emobl4mbit512k8staticramdatasheetv2000en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 55ns 32-Pin SOIC Tube
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Technische Details CY62148ELL-55SXI Infineon Technologies

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 32-SOIC, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
CY62148ELL-55SXI CY62148ELL-55SXI Cypress Semiconductor 38-05442_cy62148e_mobl_4_mbit_512k_x_8_static_ram.pdf SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 55ns 32-Pin SOIC Tube
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CY62148ELL-55SXI CY62148ELL-55SXI Infineon Technologies Infineon-CY62148E_MoBL_4-Mbit_(512_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeea5a32e0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOIC
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