CY62148EV30LL-45BVXI Infineon Technologies
auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5+ | 11.57 EUR |
| 10+ | 10.56 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details CY62148EV30LL-45BVXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY62148EV30LL-45BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, VFBGA, 36 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 4Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 36Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit.
Weitere Produktangebote CY62148EV30LL-45BVXI nach Preis ab 11.94 EUR bis 16.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CY62148EV30LL-45BVXI | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36VFBGAPackaging: Tray Package / Case: 36-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 36-VFBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 4542 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
CY62148EV30LL-45BVXI | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY62148EV30LL-45BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, VFBGA, 36 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 36Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit |
auf Bestellung 2139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
| CY62148EV30LL-45BVXI | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA36 Type of integrated circuit: SRAM memory Memory: 4Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 512kx8bit Case: VFBGA36 Operating voltage: 2.2...3.6V Kind of memory: SRAM Mounting: SMD Access time: 45ns Anzahl je Verpackung: 2400 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||||
| CY62148EV30LL-45BVXI | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA36 Type of integrated circuit: SRAM memory Memory: 4Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 512kx8bit Case: VFBGA36 Operating voltage: 2.2...3.6V Kind of memory: SRAM Mounting: SMD Access time: 45ns |
Produkt ist nicht verfügbar |