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CY62148EV30LL-45BVXI

CY62148EV30LL-45BVXI Infineon Technologies

38-05576_cy62148ev30_mobl_4_mbit_512k_x_8_static_ram.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 36-Pin VFBGA Tray
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Technische Details CY62148EV30LL-45BVXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY62148EV30LL-45BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, VFBGA, 36 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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CY62148EV30LL-45BVXI CY62148EV30LL-45BVXI Hersteller : Infineon Technologies Infineon_CY62148EV30_MOBL_4_MBIT__512K_X_8__STATIC-3361088.pdf SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM
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CY62148EV30LL-45BVXI CY62148EV30LL-45BVXI Hersteller : Infineon Technologies Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 36-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 36-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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CY62148EV30LL-45BVXI CY62148EV30LL-45BVXI Hersteller : INFINEON CYPR-S-A0011119695-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62148EV30LL-45BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, VFBGA, 36 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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