CY62157EV30LL-45BVXIT Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2000+ | 19.24 EUR |
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Technische Details CY62157EV30LL-45BVXIT Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY62157EV30LL-45BVXIT - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 8Mbit, usEccn: 3A991.b.2.b, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit.
Weitere Produktangebote CY62157EV30LL-45BVXIT nach Preis ab 19.6 EUR bis 29.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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CY62157EV30LL-45BVXIT | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM |
auf Bestellung 5930 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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CY62157EV30LL-45BVXIT | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 3344 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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CY62157EV30LL-45BVXIT | Hersteller : Cypress Semiconductor |
SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM |
auf Bestellung 3194 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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CY62157EV30LL-45BVXIT | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY62157EV30LL-45BVXIT - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 8Mbit usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit |
auf Bestellung 1589 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY62157EV30LL-45BVXIT | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 45ns 48-Pin VFBGA T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY62157EV30LL-45BVXIT | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: VFBGA48 Mounting: SMD Memory: 8Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 512kx16bit Operating voltage: 2.2...3.6V Kind of memory: SRAM Access time: 45ns Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| CY62157EV30LL-45BVXIT | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: VFBGA48 Mounting: SMD Memory: 8Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 512kx16bit Operating voltage: 2.2...3.6V Kind of memory: SRAM Access time: 45ns |
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