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CY62157GE30-45ZXI

CY62157GE30-45ZXI Infineon Technologies

t_512k_16-bits_static_ram_with_error-correcting_code_ecc.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3V/3.3V 8M-bit 512K x 16 45ns 48-Pin TSOP-I Bulk
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Technische Details CY62157GE30-45ZXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY62157GE30-45ZXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 3.6 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3.6V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 2.2V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CY62157GE30-45ZXI CY62157GE30-45ZXI Hersteller : Infineon Technologies t_512k_16-bits_static_ram_with_error-correcting_code_ecc.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3V/3.3V 8M-bit 512K x 16 45ns 48-Pin TSOP-I Bulk
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tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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CY62157GE30-45ZXI CY62157GE30-45ZXI Hersteller : Infineon Technologies download Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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