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CY62158GE30-45BVXI

CY62158GE30-45BVXI Infineon Technologies

mbit_1m_8-bits_static_ram_with_error-correcting_code_ecc.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3V/3.3V 8M-bit 1M x 8 45ns 48-Pin VFBGA Bulk
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Technische Details CY62158GE30-45BVXI Infineon Technologies

Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8), Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 45 ns, Memory Organization: 1M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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CY62158GE30-45BVXI CY62158GE30-45BVXI Hersteller : Infineon Technologies mbit_1m_8-bits_static_ram_with_error-correcting_code_ecc.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3V/3.3V 8M-bit 1M x 8 45ns 48-Pin VFBGA Bulk
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CY62158GE30-45BVXI Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES download CY62158GE30-45BVXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62158GE30-45BVXI CY62158GE30-45BVXI Hersteller : Infineon Technologies download Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 1M x 8
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