CY62162G18-55BGXI Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesSRAM Chip Async Single 1.8V 16M-bit 512K x 32 55ns 119-Pin BGA Tray
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Technische Details CY62162G18-55BGXI Infineon Technologies
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 55ns; PBGA119; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 512kx32bit, Access time: 55ns, Case: PBGA119, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray, Supply voltage: 1.65...2.2V DC, Anzahl je Verpackung: 840 Stücke.
Weitere Produktangebote CY62162G18-55BGXI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| CY62162G18-55BGXI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 55ns; PBGA119; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit Access time: 55ns Case: PBGA119 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.65...2.2V DC Anzahl je Verpackung: 840 Stücke |
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CY62162G18-55BGXI | Hersteller : Cypress Semiconductor Corp |
Description: IC SRAM 8MBIT 55NS 119BGA |
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CY62162G18-55BGXI | Hersteller : Cypress Semiconductor |
SRAM Micropower SRAMs |
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| CY62162G18-55BGXI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 55ns; PBGA119; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit Access time: 55ns Case: PBGA119 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.65...2.2V DC |
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