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CY62187EV30LL-55BAXI

CY62187EV30LL-55BAXI Infineon Technologies

Infineon-CY62187EV30_MoBL_64-Mbit_(4M_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SRAM 64Mb 3V 55ns 4M x 16 LP SRAM
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Technische Details CY62187EV30LL-55BAXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY62187EV30LL-55BAXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.7V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote CY62187EV30LL-55BAXI nach Preis ab 127.62 EUR bis 145.6 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
CY62187EV30LL-55BAXI CY62187EV30LL-55BAXI Infineon Technologies Infineon-CY62187EV30_MoBL_64-Mbit_(4M_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef92d32fb&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48FBGA
Memory Organization: 4M x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-FBGA (8x9.5)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 440 Stücke:
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CY62187EV30LL-55BAXI CY62187EV30LL-55BAXI INFINEON CYPR-S-A0004284319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62187EV30LL-55BAXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
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rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.7V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 258 Stücke:
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CY62187EV30LL-55BAXI Cypress Semiconductor CY62187EV30.pdf Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,2...3,7, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4М х 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-48 Очікується: 24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 210 Stücke
verfügbar 7 Stücke:
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CY62187EV30LL-55BAXI Infineon-CY62187EV30_MoBL_64-Mbit_(4M_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef92d32fb&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48FBGA
Memory Organization: 4M x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-FBGA (8x9.5)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
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CY62187EV30LL-55BAXI CYPR-S-A0004284319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62187EV30LL-55BAXI
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY62187EV30LL-55BAXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.7V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,2...3,7, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4М х 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-48 Очікується: 24 Од. вим: шт
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