CY62187EV30LL-55BAXI Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 214.94 EUR |
| 10+ | 194.32 EUR |
| 25+ | 186.39 EUR |
| 100+ | 182.13 EUR |
| 250+ | 181.87 EUR |
| 420+ | 179.92 EUR |
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Technische Details CY62187EV30LL-55BAXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY62187EV30LL-55BAXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 64Mbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.7V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit.
Weitere Produktangebote CY62187EV30LL-55BAXI nach Preis ab 128.45 EUR bis 221.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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CY62187EV30LL-55BAXI | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48FBGAPackaging: Tray Package / Case: 48-LFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.7V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (8x9.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 4M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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CY62187EV30LL-55BAXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 3V 64M-bit 4M x 16 55ns 48-Pin FBGA Tray |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY62187EV30LL-55BAXI | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY62187EV30LL-55BAXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 64Mbit usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.7V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY62187EV30LL-55BAXI | Hersteller : Cypress Semiconductor |
Статична пам'ять SRAM; Uживл, В = 2,2...3,7; Інтерфейс = Паралельний; Об. пам. = 64 Мбіт; Орг. пам. = 4М х 16; Тдост/Частота = 55 нс; Тексп, °С = -40...+85; FBGA-48 |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY62187EV30LL-55BAXI | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 64MbSRAM; 4Mx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; FBGA48 Case: FBGA48 Operating voltage: 2.2...3.6V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 4Mx16bit Access time: 45ns Kind of interface: parallel Memory: 64Mb SRAM Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 210 Stücke |
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| CY62187EV30LL-55BAXI | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 64MbSRAM; 4Mx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; FBGA48 Case: FBGA48 Operating voltage: 2.2...3.6V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 4Mx16bit Access time: 45ns Kind of interface: parallel Memory: 64Mb SRAM Mounting: SMD |
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