CY7C1011G30-12ZSXET INFINEON TECHNOLOGIES

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 12ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Access time: 12ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Technische Details CY7C1011G30-12ZSXET INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 12ns; TSOP44 II; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 2Mb SRAM, Memory organisation: 128kx16bit, Access time: 12ns, Case: TSOP44 II, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...125°C, Kind of package: reel; tape, Supply voltage: 2.2...3.6V DC, Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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CY7C1011G30-12ZSXET | Hersteller : Cypress Semiconductor Corp |
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CY7C1011G30-12ZSXET | Hersteller : Infineon / Cypress |
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CY7C1011G30-12ZSXET | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 12ns; TSOP44 II; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 128kx16bit Access time: 12ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.2...3.6V DC |
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