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CY7C1018DV33-10VXIT

CY7C1018DV33-10VXIT Infineon Technologies

infineoncy7c1018dv331mbit128kx8staticramdatasheetv0700en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ T/R
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Technische Details CY7C1018DV33-10VXIT Infineon Technologies

Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 32-SOJ, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 128K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CY7C1018DV33-10VXIT CY7C1018DV33-10VXIT Infineon Technologies Infineon_CY7C1018DV33_CY7C1019DV33_1_Mbit__128_K_8-3361360.pdf SRAM 1M 10ns 3.3V 128Kx8 Fast Async SRAM
auf Bestellung 1109 Stücke:
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CY7C1018DV33-10VXIT CY7C1018DV33-10VXIT Infineon Technologies download Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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SRAM 1M 10ns 3.3V 128Kx8 Fast Async SRAM
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CY7C1018DV33-10VXIT
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Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
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Technology: SRAM - Asynchronous
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Memory Interface: Parallel
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Memory Organization: 128K x 8
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