CY7C1019DV33-10VXI Infineon Technologies
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Technische Details CY7C1019DV33-10VXI Infineon Technologies
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY7C1019DV33-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 3V-3.6V Versorgung, SOJ-32, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 1Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit.
Weitere Produktangebote CY7C1019DV33-10VXI nach Preis ab 3.71 EUR bis 7.60 EUR
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CY7C1019DV33-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
 SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube |
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CY7C1019DV33-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Packaging: Tube Package / Case: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-SOJ Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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CY7C1019DV33-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM 1Mb 10ns 3.3V 128Kx8 Fast Async SRAM |
auf Bestellung 1131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CY7C1019DV33-10VXI | Hersteller : CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES |
Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY7C1019DV33-10VXI - IC, SRAM, 1MB, 128K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 3V-3.6V Versorgung, SOJ-32 tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY7C1019DV33-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube |
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CY7C1019DV33-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube |
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| CY7C1019DV33-10VXI | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 3÷3.6V; 10ns; SOJ32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: SOJ32 Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Operating voltage: 3...3.6V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 10ns IC width: 400mils Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| CY7C1019DV33-10VXI | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 3÷3.6V; 10ns; SOJ32; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: SOJ32 Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Operating voltage: 3...3.6V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 10ns IC width: 400mils |
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