CY7C1021CV33-10ZSXA Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.23 EUR |
| 10+ | 11.14 EUR |
| 25+ | 10.91 EUR |
| 50+ | 10.56 EUR |
| 100+ | 9.38 EUR |
| 250+ | 9.37 EUR |
| 500+ | 9.17 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details CY7C1021CV33-10ZSXA Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 64K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote CY7C1021CV33-10ZSXA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1021CV33-10ZSXA | Cypress Semiconductor |
Статична енергозалежна пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 1 Мбіт, Орг. пам. = 64К х 16, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельна,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 270 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
|
CY7C1021CV33-10ZSXA | Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP IIPackaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 64K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CY7C1021CV33-10ZSXA |
![]() |
Hersteller: Cypress Semiconductor
Статична енергозалежна пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 1 Мбіт, Орг. пам. = 64К х 16, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельна,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 270 Stücke
Статична енергозалежна пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 1 Мбіт, Орг. пам. = 64К х 16, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельна,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 270 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CY7C1021CV33-10ZSXA |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


