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CY7C1021D-10ZSXI

CY7C1021D-10ZSXI Infineon Technologies

962607582274711docid44980.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray
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Technische Details CY7C1021D-10ZSXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY7C1021D-10ZSXI - IC, SRAM, 1MB, 64K x 16 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, TSOP-II-44, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 5V, Taktfrequenz, max.: -MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CY7C1021D-10ZSXI CY7C1021D-10ZSXI Hersteller : Infineon Technologies CYPR_S_A0002133430_1-3003619.pdf SRAM 2Mb 10ns 64K x 16 Fast Async SRAM
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CY7C1021D-10ZSXI CY7C1021D-10ZSXI Hersteller : Infineon Technologies download Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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10+6.66 EUR
25+6.36 EUR
40+6.20 EUR
135+5.82 EUR
270+5.62 EUR
540+5.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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CY7C1021D-10ZSXI CY7C1021D-10ZSXI Hersteller : INFINEON 2309587.pdf Description: INFINEON - CY7C1021D-10ZSXI - IC, SRAM, 1MB, 64K x 16 Bit, 10ns Zugriffszeit, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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CY7C1021D-10ZSXI CY7C1021D-10ZSXI Hersteller : Infineon Technologies 962607582274711docid44980.pdf SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray
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CY7C1021D-10ZSXI CY7C1021D-10ZSXI Hersteller : Infineon Technologies 962607582274711docid44980.pdf SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray
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CY7C1021D-10ZSXI Hersteller : Cypress Semiconductor download TSOP 32/I°/5V 1MB 64KX16 FAST SRAM
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CY7C1021D-10ZSXI CY7C1021D-10ZSXI Hersteller : Infineon Technologies 962607582274711docid44980.pdf SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray
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CY7C1021D-10ZSXI Hersteller : INFINEON (CYPRESS) download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Operating voltage: 4.5...5.5V
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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CY7C1021D-10ZSXI Hersteller : INFINEON (CYPRESS) download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Operating voltage: 4.5...5.5V
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
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