CY7C1021DV33-10VXI Infineon Technologies
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Technische Details CY7C1021DV33-10VXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1021DV33-10VXI - SRAM, 1MB, 64K x 16 Bit, 10ns, 2.97V bis 3.63V, SOJ-44, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: SOJ, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V, hazardous: false, Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 1Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 10ns, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote CY7C1021DV33-10VXI nach Preis ab 3.29 EUR bis 4.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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CY7C1021DV33-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
 SRAM 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 Fast Async SRAM |
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CY7C1021DV33-10VXI | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1021DV33-10VXI - SRAM, 1MB, 64K x 16 Bit, 10ns, 2.97V bis 3.63V, SOJ-44 tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: SOJ IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V hazardous: false Speicherkonfiguration SRAM: 64K x 16bit IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 1Mbit Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY7C1021DV33-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube |
auf Bestellung 1020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1021DV33-10VXI | Hersteller : CYPRESS |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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CY7C1021DV33-10VXI Produktcode: 186767
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IC > IC Speicher |
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CY7C1021DV33-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube |
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CY7C1021DV33-10VXI | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
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| CY7C1021DV33-10VXI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel; tube Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 1Mb SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Case: SOJ44 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: tube Supply voltage: 3...3.6V DC |
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