CY7C1021DV33-10ZSXIT Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details CY7C1021DV33-10ZSXIT Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1021DV33-10ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.b, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote CY7C1021DV33-10ZSXIT nach Preis ab 3.15 EUR bis 4.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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CY7C1021DV33-10ZSXIT | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 64K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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CY7C1021DV33-10ZSXIT | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 Fast Async SRAM |
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CY7C1021DV33-10ZSXIT | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1021DV33-10ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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CY7C1021DV33-10ZSXIT | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY7C1021DV33-10ZSXIT | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 3÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TSOP44 II Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Operating voltage: 3...3.6V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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| CY7C1021DV33-10ZSXIT | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 3÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TSOP44 II Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Operating voltage: 3...3.6V Kind of memory: SRAM Memory organisation: 64kx16bit Access time: 10ns |
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