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CY7C1041G30-10BAJXE

CY7C1041G30-10BAJXE Infineon Technologies

words_x_16_bit_static_ram_with_error_correcting_code_ecc.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive AEC-Q100 48-Pin VFBGA Tray
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Technische Details CY7C1041G30-10BAJXE Infineon Technologies

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-FBGA (6x8), Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CY7C1041G30-10BAJXE CY7C1041G30-10BAJXE Hersteller : Infineon Technologies words_x_16_bit_static_ram_with_error_correcting_code_ecc.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive AEC-Q100 48-Pin VFBGA Tray
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CY7C1041G30-10BAJXE CY7C1041G30-10BAJXE Hersteller : Infineon Technologies Infineon-CY7C1041G_AUTOMOTIVE_4-MBIT_(256K_WORDS_X_16_BIT)_STATIC_RAM_WITH_ERROR_CORRECTING_CODE_(ECC)-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed752145879&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110 Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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