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CY7C1041G30-10VXI

CY7C1041G30-10VXI Infineon Technologies

words_x_16_bit_static_ram_with_error_correcting_code_ecc.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube
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Technische Details CY7C1041G30-10VXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY7C1041G30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOJ, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CY7C1041G30-10VXI CY7C1041G30-10VXI Hersteller : Infineon Technologies words_x_16_bit_static_ram_with_error_correcting_code_ecc.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube
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CY7C1041G30-10VXI CY7C1041G30-10VXI Hersteller : Infineon Technologies Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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CY7C1041G30-10VXI CY7C1041G30-10VXI Hersteller : Infineon Technologies words_x_16_bit_static_ram_with_error_correcting_code_ecc.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube
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CY7C1041G30-10VXI CY7C1041G30-10VXI Hersteller : INFINEON 2309588.pdf Description: INFINEON - CY7C1041G30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, SOJ, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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CY7C1041G30-10VXI Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel; tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: SOJ44
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 17 Stücke
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CY7C1041G30-10VXI Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel; tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: SOJ44
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Kind of package: tube
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