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CY7C1041GN-10ZSXI

CY7C1041GN-10ZSXI Infineon Technologies

1-95413_cy7c1041gn_4_mbit_256k_words_x_16_bit_static_ram.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray
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Technische Details CY7C1041GN-10ZSXI Infineon Technologies

Description: INFINEON - CY7C1041GN-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256Kword x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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CY7C1041GN-10ZSXI CY7C1041GN-10ZSXI Hersteller : Infineon Technologies 1-95413_cy7c1041gn_4_mbit_256k_words_x_16_bit_static_ram.pdf SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray
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CY7C1041GN-10ZSXI CY7C1041GN-10ZSXI Hersteller : Infineon Technologies Infineon_CY7C1041GN_4_Mbit__256K_words_16_bit__Sta-3161384.pdf SRAM ASYNC
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CY7C1041GN-10ZSXI CY7C1041GN-10ZSXI Hersteller : Infineon Technologies Infineon-CY7C1041GN_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed82ae859a5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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CY7C1041GN-10ZSXI CY7C1041GN-10ZSXI Hersteller : INFINEON CYPR-S-A0011122047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1041GN-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256Kword x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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CY7C1041GN-10ZSXI Hersteller : INFINEON (CYPRESS) Infineon-CY7C1041GN_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed82ae859a5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Operating voltage: 4.5...5.5V
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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CY7C1041GN-10ZSXI Hersteller : INFINEON (CYPRESS) Infineon-CY7C1041GN_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed82ae859a5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 4Mb SRAM
Operating voltage: 4.5...5.5V
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
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