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Technische Details CY7C1041GN30-10BVXI Infineon Technologies
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote CY7C1041GN30-10BVXI nach Preis ab 4.98 EUR bis 12.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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CY7C1041GN30-10BVXI | Hersteller : Infineon Technologies |
 SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray |
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CY7C1041GN30-10BVXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray |
auf Bestellung 2613 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY7C1041GN30-10BVXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray |
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CY7C1041GN30-10BVXI | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 4788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CY7C1041GN30-10BVXI | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY7C1041GN30-10BVXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray |
auf Bestellung 3485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY7C1041GN30-10BVXI | Hersteller : Infineon Technologies |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin VFBGA Tray |
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| CY7C1041GN30-10BVXI | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
CY7C1041GN3010BVXI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
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